半導(dǎo)體講求制程微縮，生產(chǎn)的芯片除了有更小體積、更好效能之外，也有更優(yōu)異的耗能表現(xiàn)。而在制程微縮的需求下，微影曝光設(shè)備能提供的效能就更加關(guān)鍵。如何讓微影曝光設(shè)備能提供更加精密的工作效能，全球微影曝光設(shè)備大廠ASML就在官方Facebook公布關(guān)鍵公式：萊利公式（Rayleigh Criterion），使半導(dǎo)體微影曝光設(shè)備能持續(xù)發(fā)展。

ASML指出，萊利公式為CD=k1 x(λ/NA)，描述了重要參數(shù)間的對(duì)應(yīng)關(guān)系，CD（Critical Dimension）中文譯作關(guān)鍵尺寸或臨界尺寸，而k1為變因，λ則是曝光機(jī)所用的光源波長(zhǎng)，最后NA（Numerical Aperture）就是代表光學(xué)系統(tǒng)的數(shù)值孔徑。

利用此公式，在半導(dǎo)體制程中，希望生產(chǎn)的芯片體積越來(lái)越小、搭載效能越來(lái)越高。也就是說(shuō)，必須將公式中的λ（光源波長(zhǎng)）縮小、NA（反射鏡數(shù)值孔徑）提高，讓最后得到的CD越來(lái)越小。雖然有此公式輔助，但同時(shí)還是必須有曝光機(jī)的內(nèi)部構(gòu)造和工作模式的發(fā)展，這也是提升芯片生產(chǎn)效能和良率的關(guān)鍵要素。

ASML進(jìn)一步表示，透過(guò)萊利公式持續(xù)改善我們的微影設(shè)備，并透過(guò)專(zhuān)業(yè)的微影技術(shù)、與客戶及供應(yīng)商的緊密合作，協(xié)助全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)提升制造良率和產(chǎn)能，實(shí)現(xiàn)芯片微縮藍(lán)圖，讓終端消費(fèi)者能夠用更合理的價(jià)格買(mǎi)到功能更強(qiáng)、體積更小巧的電子產(chǎn)品，進(jìn)一步提升人類(lèi)的生活品質(zhì)。